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      PECVD系統性能指標的說明

      日期:2022-11-10 09:58
      瀏覽次數:268
      摘要:
         PECVD系統薄膜制備設備,適合于半導體、集成電路、光電科學、電子信息、納米技術等領域研究,可以在各種尺寸和形狀的基底上沉積可以多種薄膜。

      PECVD系統性能指標:

          1、PECVD是前段預熱雙溫區滑軌結構,集真空系統、供氣流量系統、射頻源、自動推進、加熱于一體,并將所有控制集成于觸屏操控界面之中。

          2、PECVD電源范圍:0~500 W可調,溫度范圍:100~1200 ℃可調,濺射區域長度:2000 mm。

          3、適用范圍:金屬薄膜,陶瓷薄膜等,復合薄膜,連續生長各種薄膜等。

          4、雙溫區滑軌爐:帶有預熱爐,*高溫度為1100 ℃;

          5、等離子射頻發生器:輸出功率5~500 W可調;射頻電源頻率13.56 MHz;冷卻方式為空氣冷卻;輸入電源:208~240 VAC,50/60 Hz;

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